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Alliance Memory, Inc.
Alliance Memory è un produttore mondiale senza fabbrica di prodotti di memoria legacy e di nuova tecnologia che sono sostituti di pin per pin per gli IC SRAM, DRAM e NOR FLASH di Micron, Samsung, ISSI,Cypress, Nanya, Hynix e altri. Il loro portafoglio di prodotti comprende una gamma completa di SRAM asincroni da 3,3 V e 5 V utilizzati con i principali processori di segnale digitale (DSP) e microcontrollori;e SRAM sincrone, SRAM a bassa potenza, pseudo SRAM, DRAM sincrone a 3,3 V (SDR), DDR mobili, DRAM sincrone a 2,5 V singolo (DDR1), 1,8 V doppio (DDR2) e 1,5 V e 1,35 V triplo (DDR3) 1,2 V quadruplo (DDR4),con dispositivi flash 5V paralleli NOR. Un investimento elevato in matrici di wafer significa che possono ridurre al minimo o eliminare gli strizzatori d
| Immagine | parte # | Descrizione | fabbricante | Stoccaggio | RFQ | |
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AS7C513B-15JCNTR |
IC SRAM 512KBIT PARALLEL 44SOJ
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10000
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