NSV20101JT1G
Specificità
Polarità del transistor::
NPN
Categoria di prodotto::
Transistor bipolari - BJT
Stile di montaggio::
SMD/SMT
Corrente massima del collettore di corrente continua::
2 A
Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::
20 V
Confezione / Valigia::
SC-89-3
Temperatura massima di funzionamento::
+ 150 C
Prodotto di banda di guadagno fT::
350 MHz
Configurazione::
Non sposato
Collettore - Voltaggio di base VCBO::
40 V
Serie::
NSS20101J
Emittente-Tensione di base VEBO::
6 V
Produttore::
semi
Introduzione
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