IRLR8721TRPBF
fabbricante:
Infineon Technologies
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Categoria di prodotto::
MOSFET
Vgs (Max):
± 20V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C::
65A (TC)
@ qty::
0
Tipo FET::
Canale N
Tipo di montaggio::
Montaggio superficiale
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs::
13nC @ 4,5V
Produttore::
Infineon Technologies
Quantità minima::
2000
Voltaggio di azionamento (max Rds On, min Rds On)::
4.5V, 10V
Stoccaggio::
0
Temperatura di funzionamento::
-55°C ~ 175°C (TJ)
Caratteristica FET::
-
Serie::
HEXFET®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds::
1030pF @ 15V
Confezione del fornitore::
D-PAK
Status della parte::
Attivo
Imballaggio::
Nastro e bobina (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
8.4 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max)::
65 W (Tc)
Confezione / Valigia::
TO-252-3, DPak (2 Lead + Tab), SC-63
Tecnologia::
MOSFET (ossido di metallo)
Vgs(th) (Max) @ Id::
2.35V @ 25μA
Voltaggio di scarico alla sorgente (Vdss)::
30 V
Introduzione
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MOQ: