IPA65R420CFDXKSA1
fabbricante:
Infineon Technologies
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Categoria di prodotto::
MOSFET
Vgs (Max):
± 20V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C::
8.7A (Tc)
@ qty::
0
Tipo FET::
Canale N
Tipo di montaggio::
Attraverso il buco
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs::
32nC @ 10V
Produttore::
Infineon Technologies
Quantità minima::
500
Voltaggio di azionamento (max Rds On, min Rds On)::
10V
Stoccaggio::
0
Temperatura di funzionamento::
-55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET::
-
Serie::
CoolMOS™
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds::
870pF @ 100V
Confezione del fornitore::
Pacchetto completo PG-TO220
Status della parte::
Attivo
Imballaggio::
Tubo
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
420 mOhm @ 3.4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)::
31.2W (Tc)
Confezione / Valigia::
Pacchetto completo TO-220-3
Tecnologia::
MOSFET (ossido di metallo)
Vgs(th) (Max) @ Id::
4.5V @ 340μA
Voltaggio di scarico alla sorgente (Vdss)::
650 V
Introduzione
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