IRF6646TR1
fabbricante:
Infineon Technologies
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Categoria di prodotto::
MOSFET
Vgs (Max):
± 20V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C::
12A (tum), 68A (TC)
@ qty::
0
Tipo FET::
Canale N
Tipo di montaggio::
Montaggio superficiale
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs::
50nC @ 10V
Produttore::
Infineon Technologies
Quantità minima::
1000
Voltaggio di azionamento (max Rds On, min Rds On)::
10V
Stoccaggio::
0
Temperatura di funzionamento::
-40°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET::
-
Serie::
HEXFET®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds::
2060pF @ 25V
Confezione del fornitore::
DIRECTFETTM MN
Status della parte::
Non utilizzato
Imballaggio::
Nastro e bobina (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
9.5 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max)::
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Confezione / Valigia::
DirectFETTM Isometrica MN
Tecnologia::
MOSFET (ossido di metallo)
Vgs(th) (Max) @ Id::
4.9V @ 150μA
Voltaggio di scarico alla sorgente (Vdss)::
80 V
Introduzione
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MOQ: