IPB80N03S4L-03
fabbricante:
Infineon Technologies
Descrizione:
MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Polarità del transistor::
Canale N
Tecnologia::
Si
Id - Corrente di scarico continua::
80 A
Stile di montaggio::
SMD/SMT
Nome commerciale::
OptiMOS
Temperatura minima di funzionamento::
- 55 C
Confezione / Valigia::
TO-263-3
Temperatura massima di funzionamento::
+ 175 C
Modalità canale::
Potenziamento
Vds - Voltaggio di rottura della fonte di scarico::
30 V
Imballaggio::
Rilo
Vgs th - tensione di soglia della porta-sorgente::
1 v
Categoria di prodotto::
MOSFET
Rds On - Resistenza alla fonte di scarico::
2 mOhms
Numero di canali::
1 canale
Vgs - Tensione della sorgente di porta::
16 V
Qg - Portata di carica::
140 nC
Produttore::
Infineon Technologies
Introduzione
L'IPB80N03S4L-03, di Infineon Technologies, è MOSFET.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
Invii il RFQ
Stoccaggio:
MOQ: