IRFH4255DTRPBF
fabbricante:
Infineon Technologies
Descrizione:
MOSFET 25V singolo N-Ch HEXFET PWR 50A
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Polarità del transistor::
Canale N
Tecnologia::
Si
Id - Corrente di scarico continua::
30 A, 30 A
Stile di montaggio::
SMD/SMT
Nome commerciale::
FastIRFet
Temperatura minima di funzionamento::
- 55 C
Confezione / Valigia::
PQFN-8
Temperatura massima di funzionamento::
+ 150 C
Modalità canale::
Potenziamento
Vds - Voltaggio di rottura della fonte di scarico::
25 V, 25 V
Imballaggio::
Rilo
Vgs th - tensione di soglia della porta-sorgente::
1.1 V, 1.1 V
Categoria di prodotto::
MOSFET
Rds On - Resistenza alla fonte di scarico::
40,6 mOhms, 2,1 mOhms
Numero di canali::
2 Canale
Vgs - Tensione della sorgente di porta::
20 V, 20 V
Qg - Portata di carica::
10 nC, 23 nC
Produttore::
Infineon Technologies
Introduzione
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