TK14E65W,S1X
Specificità
Polarità del transistor::
Canale N
Id - Corrente di scarico continua::
13.7 A
Stile di montaggio::
Attraverso il buco
Temperatura minima di funzionamento::
- 55 C
Confezione / Valigia::
TO-220-3
Temperatura massima di funzionamento::
+ 150 C
Modalità canale::
Potenziamento
Vds - Voltaggio di rottura della fonte di scarico::
650 V
Tecnologia::
Si
Vgs th - tensione di soglia della porta-sorgente::
2.5 V a 3,5 V
Categoria di prodotto::
MOSFET
Rds On - Resistenza alla fonte di scarico::
220 mOhms
Numero di canali::
1 canale
Vgs - Tensione della sorgente di porta::
30 V
Qg - Portata di carica::
35 nC
Produttore::
Toshiba
Introduzione
Il TK14E65W,S1X,da Toshiba,è MOSFET.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
Invii il RFQ
Stoccaggio:
MOQ: