FDP5N60NZ
fabbricante:
Fairchild Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 600V MOSFET a canale N, UniFET-II
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Polarità del transistor::
Canale N
Tecnologia::
Si
Categoria di prodotto::
MOSFET
Stile di montaggio::
Attraverso il buco
Nome commerciale::
UniFET
Confezione / Valigia::
TO-220-3
Vds - Voltaggio di rottura della fonte di scarico::
600 V
Imballaggio::
Tubo
Vgs th - tensione di soglia della porta-sorgente::
5 V
Id - Corrente di scarico continua::
4,5 A
Rds On - Resistenza alla fonte di scarico::
1,65 ohm
Numero di canali::
1 canale
Vgs - Tensione della sorgente di porta::
25 V
Qg - Portata di carica::
10 n.C.
Produttore::
Fairchild Semiconductor
Introduzione
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