IRF7815PBF
fabbricante:
Infineon Technologies
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Categoria di prodotto::
MOSFET
Vgs (Max):
± 20V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C::
5.1A (tum)
@ qty::
0
Tipo FET::
Canale N
Tipo di montaggio::
Montaggio superficiale
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs::
38nC @ 10V
Produttore::
Infineon Technologies
Quantità minima::
1
Voltaggio di azionamento (max Rds On, min Rds On)::
10V
Stoccaggio::
0
Temperatura di funzionamento::
-55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET::
-
Serie::
HEXFET®
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds::
1647pF @ 75V
Confezione del fornitore::
8-SO
Imballaggio::
Tubo
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
43 mOhm @ 3.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)::
2.5W (tum)
Confezione / Valigia::
8-SOIC (0.154" , larghezza di 3.90mm)
Tecnologia::
MOSFET (ossido di metallo)
Vgs(th) (Max) @ Id::
5V @ 100µA
Voltaggio di scarico alla sorgente (Vdss)::
150 V
Introduzione
L'IRF7815PBF,di Infineon Technologies,è MOSFET.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
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