IGW100N60H3
fabbricante:
Infineon Technologies
Descrizione:
Transistor IGBT Prodotti IGBT TrenchStop
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Corrente di perdita dell' emittente della porta::
Na 100
Categoria di prodotto::
Transistor IGBT
Stile di montaggio::
Attraverso il buco
Corrente continua del collettore a 25 ° C::
140 A
Palladio - dissipazione di potere::
714 w
Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::
600 V
Confezione / Valigia::
TO-247-3
Temperatura massima di funzionamento::
+ 175 C
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::
20 V
Imballaggio::
Tubo
Configurazione::
Non sposato
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::
2,25 V
Produttore::
Infineon Technologies
Introduzione
L'IGW100N60H3, di Infineon Technologies, sono i transistor IGBT. Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
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