IRGS4B60KD1PBF
fabbricante:
Infineon Technologies
Descrizione:
Transistor IGBT 600V LO-VCEON NON PNCH THRU COPCK
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Categoria di prodotto::
Transistor IGBT
Stile di montaggio::
SMD/SMT
Corrente continua del collettore a 25 ° C::
12 A
Palladio - dissipazione di potere::
63 W
Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::
600 V
Confezione / Valigia::
TO-263-3
Temperatura massima di funzionamento::
+ 150 C
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::
+/- 20 V
Imballaggio::
Tubo
Configurazione::
Non sposato
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::
2,5 V
Produttore::
Infineon Technologies
Introduzione
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