STGWA40H60DLFB
fabbricante:
STMicroelettronica
Descrizione:
Transistor IGBT
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Corrente di perdita dell' emittente della porta::
-
Categoria di prodotto::
Transistor IGBT
Stile di montaggio::
Attraverso il buco
Corrente continua del collettore a 25 ° C::
-
Palladio - dissipazione di potere::
283 W
Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::
600 V
Confezione / Valigia::
TO-247-3
Temperatura massima di funzionamento::
+ 175 C
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::
2 V
Configurazione::
Non sposato
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::
1,6 V
Produttore::
STMicroelettronica
Introduzione
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