IXGH40N120B2D1
fabbricante:
IXYS
Descrizione:
IGBT transistor IGBT, diodo 1200V, 75A
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Corrente di perdita dell' emittente della porta::
Na 100
Categoria di prodotto::
Transistor IGBT
Stile di montaggio::
Attraverso il buco
Corrente continua del collettore a 25 ° C::
75 A
Palladio - dissipazione di potere::
380 W
Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::
1,2 chilovolt
Confezione / Valigia::
TO-247-3
Temperatura massima di funzionamento::
+ 150 C
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::
+/- 20 V
Imballaggio::
Tubo
Configurazione::
Non sposato
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::
2,9 V
Produttore::
IXYS
Introduzione
Il IXGH40N120B2D1, di IXYS, è IGBT Transistor. quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
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