FGL60N100BNTDTU
fabbricante:
Fairchild Semiconductor
Descrizione:
Transistor IGBT ad alta potenza
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Corrente di perdita dell' emittente della porta::
+/- 500 nA
Categoria di prodotto::
Transistor IGBT
Stile di montaggio::
Attraverso il buco
Corrente continua del collettore a 25 ° C::
60 A
Palladio - dissipazione di potere::
180 W
Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::
1000 V
Confezione / Valigia::
TO-264-3
Temperatura massima di funzionamento::
+ 150 C
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::
+/- 25 V
Imballaggio::
Tubo
Configurazione::
Non sposato
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::
1,5 V
Produttore::
Fairchild Semiconductor
Introduzione
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