DXTN3C100PDQ-13
fabbricante:
Diodi incorporati
Descrizione:
SS Low Sat Transistor PowerDI506
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Array di transistor bipolari
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
3A
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di transistor:
2 NPN (doppi)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Frequenza - Transizione:
130MHz
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
330mV @ 300mA, 3A
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
100 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
PowerDI5060-8 (tipo UXD)
Mfr:
Diodi incorporati
Corrente - limite del collettore (massimo):
100nA
Potenza - Max:
1.47W
Confezione / Cassa:
8-PowerTDFN
Temperatura di funzionamento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
150 @ 500mA, 10V
Numero del prodotto di base:
DXTN3C100
Introduzione
Bipolare (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 100V 3A 130MHz 1.47W Surface Mount PowerDI5060-8 (Tipo UXD)
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