2N3811
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Array di transistor bipolari
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
50 mA
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di transistor:
2 PNP (due)
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Frequenza - Transizione:
100 MHz
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
250mV @ 1mA, 100μA
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
60 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-78-6
Mfr:
Central Semiconductor Corp.
Corrente - limite del collettore (massimo):
10nA (ICBO)
Potenza - Max:
600 mW
Confezione / Cassa:
Il metallo TO-78-6 può
Temperatura di funzionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
300 @ 1mA, 5V
Numero del prodotto di base:
2N380
Introduzione
Bipolare (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 100MHz 600mW Attraverso foro TO-78-6
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Immagine | parte # | Descrizione | |
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![]() |
2N2915 |
TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6
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MMPQ3904TR13 |
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TRANS 2PNP 50MA 40V TO78-6
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