RN1907, LF(CT
fabbricante:
Toshiba Semiconductor e storage
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Array di transistor bipolari, pre-bia
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
100 mA
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di transistor:
2 NPN - Pre-biasato (doppia)
Frequenza - Transizione:
250 MHz
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
300mV @ 250μA, 5mA
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
50 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
US6
Resistenza - Base (R1):
10kOhm
Mfr:
Toshiba Semiconductor e storage
Resistenza - Base dell'emittente (R2):
47 kOhms
Corrente - limite del collettore (massimo):
500nA
Potenza - Max:
200mw
Confezione / Cassa:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
80 @ 10mA, 5V
Numero del prodotto di base:
RN1907
Introduzione
Transistor bipolare pre-biased (BJT) 2 NPN - Pre-biased (dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Supporto di superficie US6
Prodotti correlati
RN1906, LF(CT
RN2901FE,LXHF(CT
RN2965(TE85L,F)
RN4905T5LFT
RN2704, LF
RN1908FE ((TE85L,F)
RN1907FE, LF(CT
RN2901, LF(CT
RN4981FE, LF(CT
RN1602 ((TE85L,F)
RN2910, LF(CT
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
|
|
RN1906, LF(CT |
|
|
|
|
RN2901FE,LXHF(CT |
|
|
|
|
RN2965(TE85L,F) |
|
|
|
|
RN4905T5LFT |
|
|
|
|
RN2704, LF |
|
|
|
|
RN1908FE ((TE85L,F) |
|
|
|
|
RN1907FE, LF(CT |
|
|
|
|
RN2901, LF(CT |
|
|
|
|
RN4981FE, LF(CT |
|
|
|
|
RN1602 ((TE85L,F) |
|
|
|
|
RN2910, LF(CT |
|
Invii il RFQ
Stoccaggio:
MOQ: