MON5316DW1T1G
fabbricante:
semi
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Array di transistor bipolari, pre-bia
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
100 mA
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di transistor:
1 NPN, 1 PNP - Pre-biased (doppia)
Frequenza - Transizione:
-
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
250 mV @ 1mA, 10mA
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
50 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistenza - Base (R1):
40,7 kOhms
Mfr:
semi
Resistenza - Base dell'emittente (R2):
-
Corrente - limite del collettore (massimo):
500nA
Potenza - Max:
250mW
Confezione / Cassa:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
160 @ 5mA, 10V
Numero del prodotto di base:
MON5316
Introduzione
Transistor bipolare (BJT) pre-biased 1 NPN, 1 PNP - pre-biased (dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
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