PUMD15.115
fabbricante:
Nexperia USA Inc.
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Array di transistor bipolari, pre-bia
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
100 mA
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di transistor:
1 NPN, 1 PNP - Pre-biased (doppia)
Frequenza - Transizione:
-
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Serie:
Automotive, AEC-Q100
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
150mV @ 500μA, 10mA
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
50 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
6-TSSOP
Resistenza - Base (R1):
40,7 kOhms
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Resistenza - Base dell'emittente (R2):
40,7 kOhms
Corrente - limite del collettore (massimo):
1µA
Potenza - Max:
300 mW
Confezione / Cassa:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
30 @ 10mA, 5V
Numero del prodotto di base:
PUMD15
Introduzione
Transistor bipolare Pre-polarizzato (BJT) 1 NPN, 1 PNP - supporto di superficie (doppio) Pre-polarizzato 6-TSSOP di 50V 100mA 300mW
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| Immagine | parte # | Descrizione | |
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PUMD48.115 |
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NHUMD9X |
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PBLS4003D,115 |
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PQMH13Z |
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PUMD10.115 |
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PUMD12/DG/B4X |
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PUMD17.115 |
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NHUMH1X |
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PUMH1/DG/B3,115 |
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NHUMB9F |
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