BCR22PNE6327BTSA1
fabbricante:
Infineon Technologies
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Array di transistor bipolari, pre-bia
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
100 mA
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di transistor:
1 NPN, 1 PNP - Pre-biased (doppia)
Frequenza - Transizione:
130MHz
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
50 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
PG-SOT363-PO
Resistenza - Base (R1):
22 kOhms
Mfr:
Infineon Technologies
Resistenza - Base dell'emittente (R2):
22 kOhms
Corrente - limite del collettore (massimo):
-
Potenza - Max:
250mW
Confezione / Cassa:
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
50 @ 5mA, 5V
Numero del prodotto di base:
BCR22
Introduzione
Transistor bipolare (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 130MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-PO
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| Immagine | parte # | Descrizione | |
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BCR48PN H6727 |
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