IXDN75N120
fabbricante:
IXYS
Descrizione:
IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
IGBT
Moduli IGBT
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
150 A
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di montaggio:
Montaggio del telaio
Pacco:
Tubo
Serie:
-
Confezione / Cassa:
SOT-227-4, miniBLOC
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.7V @ 15V, 75A
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-227B
Mfr:
IXYS
Temperatura di funzionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite del collettore (massimo):
4 mA
Tipo IGBT:
Trattato di non proliferazione
Potenza - Max:
660 W
Input:
Norme
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
5.5 nF @ 25 V
Configurazione:
Non sposato
Termistor NTC:
- No, no.
Numero del prodotto di base:
IXDN75
Introduzione
Modulo IGBT NPT singolo 1200 V 150 A 660 W montatura del telaio SOT-227B
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| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
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