APTGF25H120T1G
fabbricante:
Tecnologia dei microchip
Descrizione:
Modulo IGBT 1200V 40A 208W SP1
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
IGBT
Moduli IGBT
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
40 A
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di montaggio:
Montaggio del telaio
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
Confezione / Cassa:
SP1
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
3.7V @ 15V, 25A
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
1200 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SP1
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Temperatura di funzionamento:
-
Corrente - limite del collettore (massimo):
250 μA
Tipo IGBT:
Trattato di non proliferazione
Potenza - Max:
208 W
Input:
Norme
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:
1.65 nF @ 25 V
Configurazione:
Invertitore pieno del ponte
Termistor NTC:
- Sì, sì.
Introduzione
Modulo IGBT NPT Full Bridge Inverter 1200 V 40 A 208 W Montaggio del telaio SP1
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