DMN2400UFDQ-7
fabbricante:
Diodi incorporati
Descrizione:
MOSFET 20V N-Ch Enh FET VL Porta 1.0V
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Polarità del transistor::
Canale N
Tecnologia::
Si
Id - Corrente di scarico continua::
900 mA
Stile di montaggio::
SMD/SMT
Temperatura minima di funzionamento::
- 55 C
Confezione / Valigia::
U-DFN1212-3
Temperatura massima di funzionamento::
+ 150 C
Modalità canale::
Potenziamento
Vds - Voltaggio di rottura della fonte di scarico::
20 V
Imballaggio::
Rilo
Vgs th - tensione di soglia della porta-sorgente::
450 sistemi MV
Categoria di prodotto::
MOSFET
Rds On - Resistenza alla fonte di scarico::
350 mOhms
Numero di canali::
1 canale
Vgs - Tensione della sorgente di porta::
12 V
Qg - Portata di carica::
Pc 500
Produttore::
Diodi incorporati
Introduzione
Il DMN2400UFDQ-7, di Diodes Incorporated, è MOSFET.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
Prodotti correlati
ZXMP3A16DN8TA
MOSFET Dl 30V P-Chnl UMOS
BSS127S-7
MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23
DMT6009LFG-7
MOSFET 60V N-Ch Enh FET Low Rdson
DMP6023LSS-13
MOSFET P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
DMN61D8LVT-13
MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
DMC1229UFDB-13
MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
DMN1019UFDE-7
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
DMNH4015SSD-13
MOSFET 2 N-CHANNEL 11A 8SO
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
|
|
ZXMP3A16DN8TA |
MOSFET Dl 30V P-Chnl UMOS
|
|
|
|
BSS127S-7 |
MOSFET N-CH 600V 0.05A SOT23
|
|
|
|
DMT6009LFG-7 |
MOSFET 60V N-Ch Enh FET Low Rdson
|
|
|
|
DMP6023LSS-13 |
MOSFET P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF
|
|
|
|
DMN61D8LVT-13 |
MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
|
|
|
|
DMC1229UFDB-13 |
MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
|
|
|
|
DMN1019UFDE-7 |
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
|
|
|
|
DMNH4015SSD-13 |
MOSFET 2 N-CHANNEL 11A 8SO
|
Invii il RFQ
Stoccaggio:
MOQ: