DMN1019UFDE-7
fabbricante:
Diodi incorporati
Descrizione:
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Categoria di prodotto::
MOSFET
Vgs (Max):
±8V
Corrente - scarico continuo (Id) @ 25°C::
11A (tum)
@ qty::
0
Tipo FET::
Canale N
Tipo di montaggio::
Montaggio superficiale
Carica della porta (Qg) (Max) @ Vgs::
50.6nC @ 8V
Produttore::
Diodi incorporati
Quantità minima::
3000
Voltaggio di azionamento (max Rds On, min Rds On)::
1.2V, 4.5V
Stoccaggio::
0
Temperatura di funzionamento::
-55°C ~ 150°C (TJ)
Caratteristica FET::
-
Serie::
-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds::
2425pF @ 10V
Confezione del fornitore::
U-DFN2020-6 (tipo E)
Status della parte::
Attivo
Imballaggio::
Nastro e bobina (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs::
10 mOhm @ 9,7A, 4,5V
Dissipazione di potenza (max)::
690 mW (Ta)
Confezione / Valigia::
6-UDFN ha esposto il cuscinetto
Tecnologia::
MOSFET (ossido di metallo)
Vgs(th) (Max) @ Id::
800 mV @ 250 μA
Voltaggio di scarico alla sorgente (Vdss)::
12V
Introduzione
Il DMN1019UFDE-7,di Diodes Incorporated,è un MOSFET.Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale,che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
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