IRGR3B60KD2PBF
fabbricante:
IR / Infineon
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Categoria di prodotto::
Transistor IGBT
Stile di montaggio::
SMD/SMT
Corrente continua del collettore a 25 ° C::
7.8 A
Palladio - dissipazione di potere::
52 W
Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::
600 V
Confezione / Valigia::
DPAK-3
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::
+/- 20 V
Imballaggio::
Tubo
Configurazione::
Non sposato
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::
2,4 V
Produttore::
IR / Infineon
Introduzione
L'IRGR3B60KD2PBF, di IR / Infineon, sono transistor IGBT. Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
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