IRG4PH30KPBF
fabbricante:
IR / Infineon
Descrizione:
Transistor IGBT 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ IGBT disconnesso
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Categoria di prodotto::
Transistor IGBT
Stile di montaggio::
Attraverso il buco
Corrente continua del collettore a 25 ° C::
20 A
Palladio - dissipazione di potere::
100 W
Collettore-Emittente Voltaggio VCEO Max::
1,2 chilovolt
Confezione / Valigia::
TO-247-3
Temperatura massima di funzionamento::
+ 150 C
Voltaggio massimo dell' emittente di porta::
+/- 20 V
Imballaggio::
Tubo
Configurazione::
Non sposato
Voltaggio di saturazione del collettore-emettitore::
3.1 V
Produttore::
IR / Infineon
Introduzione
L'IRG4PH30KPBF, di IR / Infineon, sono i transistor IGBT. Quello che offriamo ha un prezzo competitivo nel mercato globale, che sono in parti originali e nuove.Se desiderate saperne di più sui prodotti o richiedere un prezzo inferiore, contattateci tramite la chat online o inviateci un preventivo!
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