NTE65
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Transistori RF bipolari
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
30 mA
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di transistor:
NPN
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Frequenza - Transizione:
5 GHz
Pacco:
Borsa
Serie:
-
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
15V
Confezione del dispositivo del fornitore:
3-SMD
Mfr:
Elettronica di NTE, inc
Figura del rumore (dB Typ @ f):
2.4 dB ~ 3 dB @ 500MHz ~ 1 GHz
Potenza - Max:
180 mW
Guadagno:
18dB
Confezione / Cassa:
3-SMD, cavo piano
Temperatura di funzionamento:
-
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
25 @ 14mA, 10V
Introduzione
Transistor RF NPN 15V 30mA 5GHz 180mW Superficie montata 3-SMD
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Immagine | parte # | Descrizione | |
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NTE55MCP |
RF TRANS PNP 30MHZ TO220 PAIR
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NTE55 |
RF TRANS PNP 150V 30MHZ TO220
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MMBT918 |
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