NTE55
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Transistori RF bipolari
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
8A
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di transistor:
PNP
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Frequenza - Transizione:
30 MHz
Pacco:
Borsa
Serie:
-
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
150 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-220
Mfr:
Elettronica di NTE, inc
Figura del rumore (dB Typ @ f):
-
Potenza - Max:
2W
Guadagno:
-
Confezione / Cassa:
TO-220-3
Temperatura di funzionamento:
-65°C ~ 150°C (TJ)
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
40 @ 2A, 2V
Introduzione
Transistor RF PNP 150V 8A 30MHz 2W attraverso foro TO-220
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Immagine | parte # | Descrizione | |
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NTE55MCP |
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MMBT918 |
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NTE65 |
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