MRF8372G
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Transistori RF bipolari
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
200 mA
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di transistor:
NPN
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Frequenza - Transizione:
870 MHz
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
16V
Confezione del dispositivo del fornitore:
8-SO
Mfr:
Microsemi Corporation
Figura del rumore (dB Typ @ f):
-
Potenza - Max:
2,2 W
Guadagno:
8dB ~ 9,5dB
Confezione / Cassa:
8-SOIC (0,154", 3,90 mm di larghezza)
Temperatura di funzionamento:
-
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
30 @ 50mA, 5V
Introduzione
Transistor RF NPN 16V 200mA 870MHz 2.2W Superficie montata 8-SO
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Immagine | parte # | Descrizione | |
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JAN2N4957 |
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