JAN2N4957
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Transistori RF bipolari
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
30 mA
Status del prodotto:
Interrotto da Digi-Key
Tipo di transistor:
PNP
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Frequenza - Transizione:
-
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
30 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-72
Mfr:
Microsemi Corporation
Figura del rumore (dB Typ @ f):
3.5 dB @ 450 MHz
Potenza - Max:
200mw
Guadagno:
25 dB
Confezione / Cassa:
TO-72-3 Lattina di metallo
Temperatura di funzionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
30 @ 5mA, 10V
Introduzione
Transistor RF PNP 30V 30mA 200mW attraverso foro TO-72
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Immagine | parte # | Descrizione | |
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![]() |
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