JAN2N4854U/TR
fabbricante:
Tecnologia dei microchip
Descrizione:
BJT a doppio segnale di piccolo segnale
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Array di transistor bipolari
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
600 mA
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di transistor:
NPN, PNP
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Frequenza - Transizione:
-
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/421
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
400mV @ 15mA, 150mA
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
40 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
6-SMD
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Corrente - limite del collettore (massimo):
10 μA (ICBO)
Potenza - Max:
600 mW
Confezione / Cassa:
6-SMD, senza piombo
Temperatura di funzionamento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
100 @ 150mA, 10V
Numero del prodotto di base:
2N4854
Introduzione
NPN, PNP 40V 600mA 600mW Superficie di montaggio 6-SMD
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