JANS2N5795
fabbricante:
Tecnologia dei microchip
Descrizione:
Transistor di NPN
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Array di transistor bipolari
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
600 mA
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di transistor:
2 PNP (due)
Tipo di montaggio:
Attraverso il buco
Frequenza - Transizione:
-
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
Militare, MIL-PRF-19500/496
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
60 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
TO-78-6
Mfr:
Tecnologia dei microchip
Corrente - limite del collettore (massimo):
10 μA (ICBO)
Potenza - Max:
600 mW
Confezione / Cassa:
Il metallo TO-78-6 può
Temperatura di funzionamento:
-65°C ~ 175°C (TJ)
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
40 @ 150mA, 10V
Numero del prodotto di base:
2N5795
Introduzione
Bipolare (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 600mA 600mW Attraverso foro TO-78-6
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