HN1A01FU-Y,LXHF
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Array di transistor bipolari
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
150 mA
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di transistor:
2 PNP (due)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Frequenza - Transizione:
80MHz
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
300mV @ 10mA, 100mA
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
50 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
US6
Mfr:
Toshiba Semiconductor e storage
Corrente - limite del collettore (massimo):
100nA (ICBO)
Potenza - Max:
200mw
Confezione / Cassa:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperatura di funzionamento:
-
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
120 @ 2mA, 6V
Numero del prodotto di base:
HN1A01
Introduzione
Bipolare (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
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