HN1C01FE-GR,LXHF
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Array di transistor bipolari
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
150 mA
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di transistor:
2 NPN (doppi)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Frequenza - Transizione:
80MHz
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Serie:
Automotive, AEC-Q101
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
250mV @ 10mA, 100mA
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
50 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
ES6
Mfr:
Toshiba Semiconductor e storage
Corrente - limite del collettore (massimo):
100nA (ICBO)
Potenza - Max:
100mW
Confezione / Cassa:
SOT-563, SOT-666
Temperatura di funzionamento:
150°C (TJ)
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
200 @ 2mA, 6V
Numero del prodotto di base:
HN1C01
Introduzione
Bipolare (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
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