Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Array di transistor bipolari, pre-bia
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
100 mA
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di transistor:
2 PNP - Pre-biased (doppia)
Frequenza - Transizione:
80MHz
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Nastro di taglio (CT)
Digi-Reel®
Serie:
-
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
250mV @ 300μA, 10mA
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
50 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SMINI6-G1
Resistenza - Base (R1):
10kOhm
Mfr:
Componenti elettronici Panasonic
Resistenza - Base dell'emittente (R2):
10kOhm
Corrente - limite del collettore (massimo):
500nA
Potenza - Max:
150 mW
Confezione / Cassa:
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
35 @ 5mA, 10V
Numero del prodotto di base:
XP0611
Introduzione
Transistor bipolare pre-biased (BJT) 2 PNP - Pre-biased (dual) 50V 100mA 80MHz 150mW SMINI6-G1
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