Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Array di transistor bipolari, pre-bia
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
100 mA
Status del prodotto:
Interrotto da Digi-Key
Tipo di transistor:
2 NPN - Pre-biasato (doppia) (accoppiato all'emittente)
Frequenza - Transizione:
-
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Vce saturazione (max) @ Ib, Ic:
250mV @ 500μA, 10mA
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
50 V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SMini5-F3-B
Resistenza - Base (R1):
40,7 kOhms
Mfr:
Componenti elettronici Panasonic
Resistenza - Base dell'emittente (R2):
47 kOhms
Corrente - limite del collettore (massimo):
500nA
Potenza - Max:
150 mW
Confezione / Cassa:
6-SMD (5 cavi), cavo piano
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
80 @ 5mA, 10V
Numero del prodotto di base:
DMC5610
Introduzione
Transistor bipolare pre-biasato (BJT) 2 NPN - pre-biasato (duo) (accoppiato all'emissione) 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini5-F3-B
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