2SC5606-T1-A
fabbricante:
Renesas Electronics America Inc.
Descrizione:
TRANSISTORE BIPOLARIO a piccolo segnale
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Transistori RF bipolari
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
35 mA
Status del prodotto:
Non utilizzato
Tipo di transistor:
NPN
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Frequenza - Transizione:
21 GHz
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
3.3V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-523
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Figura del rumore (dB Typ @ f):
1.2 dB @ 2 GHz
Potenza - Max:
115 mW
Guadagno:
14 dB
Confezione / Cassa:
SOT-523
Temperatura di funzionamento:
150°C (TJ)
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
60 @ 5mA, 2V
Introduzione
Transistor RF NPN 3.3V 35mA 21GHz 115mW Montaggio di superficie SOT-523
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