2SC3357-T1-A
fabbricante:
Renesas Electronics America Inc.
Descrizione:
RF 0.1A, banda ad altissima frequenza
Categoria:
Semiconduttori
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Transistori RF bipolari
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
100 mA
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di transistor:
NPN
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Frequenza - Transizione:
6.5 GHz
Pacco:
Altri prodotti
Serie:
-
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
12V
Confezione del dispositivo del fornitore:
SOT-89
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Figura del rumore (dB Typ @ f):
10,8 dB @ 1 GHz
Potenza - Max:
1.2W
Guadagno:
10 dB
Confezione / Cassa:
TO-243AA
Temperatura di funzionamento:
150°C (TJ)
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
50 @ 20mA, 10V
Introduzione
Transistor RF NPN 12V 100mA 6.5GHz 1.2W Montatura superficiale SOT-89
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