HFA3127RZ96
Specificità
Categoria:
Prodotti di semiconduttori discreti
Transistori
Bipolare (BJT)
Transistori RF bipolari
Corrente - Collettore (Ic) (Max):
65 mA
Status del prodotto:
Attivo
Tipo di transistor:
5 NPN
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Frequenza - Transizione:
8GHz
Pacco:
Nastro e bobina (TR)
Serie:
-
Voltaggio - ripartizione dell'emittente del collettore (max):
12V
Confezione del dispositivo del fornitore:
16-QFN (3x3)
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Figura del rumore (dB Typ @ f):
3.5 dB @ 1 GHz
Potenza - Max:
150 mW
Guadagno:
-
Confezione / Cassa:
16-VFQFN Pad esposto
Temperatura di funzionamento:
175°C (TJ)
Cfr. la tabella di cui al punto 6.2.:
40 @ 10mA, 2V
Numero del prodotto di base:
HFA3127
Introduzione
Transistor RF 5 NPN 12V 65mA 8GHz 150mW Montaggio di superficie 16-QFN (3x3)
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